國家發(fā)改委官宣“新基建”的范圍，正式定調了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等七大領(lǐng)域的發(fā)展方向。以氮化鎵 (GaN) 和碳化硅(SiC) 為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料，LED作為氮化鎵 (GaN)材料最成熟的商業(yè)化應用，電力電子器件則為氮化鎵 (GaN)材料另一廣闊應用領(lǐng)域。受益于“新基建”對下游產(chǎn)業(yè)的大力扶持，在“新基建”與國產(chǎn)替代的加持下，國內半導體廠(chǎng)商將迎來(lái)巨大的發(fā)展機遇。
戰略轉型成果顯著(zhù)定增發(fā)力高端產(chǎn)品
在創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展的格局下，年初以來(lái)，公司治理體系、產(chǎn)品結構等持續優(yōu)化，戰略轉型成果突出，這在華燦光電三季報的業(yè)績(jì)上也得以反映出來(lái)，今年第三季度公司業(yè)績(jì)成功扭虧為盈，其中，實(shí)現凈利潤563 。75萬(wàn)元，同比大漲103.09%，實(shí)現營(yíng)收7.43億，同比增加3.68%，前三季度公司共實(shí)現營(yíng)收18.11億元。
為在未來(lái)的市場(chǎng)競爭中占據戰略制高點(diǎn)，持續保持行業(yè)競爭優(yōu)勢，公司踩準節奏理性有序擴張，擬定增募資15億元用于Mini/Micro LED的研發(fā)與制造項目及GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目。
公開(kāi)資料顯示，華燦光電是最早進(jìn)入Mini LED和Micro LED領(lǐng)域研究的廠(chǎng)商之一，公司的Mini LED產(chǎn)品具有光色一致性好、可焊性強、可靠性佳等優(yōu)點(diǎn)，獲得眾多主力終端顯示客戶(hù)的認可，目前已經(jīng)大批量出貨，銷(xiāo)量持續上升；Micro LED目前在外延和芯片技術(shù)方面取得了較好的成果，產(chǎn)品在波長(cháng)均勻性、表面缺陷密度等方面均取得突破性進(jìn)展，未來(lái)伴隨巨量轉移技術(shù)的解決，必將大力推進(jìn)Micro LED的商業(yè)化進(jìn)程。此外，華燦光電GaN基電力電子器件將主要面向智能手機、汽車(chē)電子、數據中心等市場(chǎng)應用。
市場(chǎng)持續擴容 Mini /Micro LED蓄勢待發(fā)
據Trendforce預測，2024年全球Mini/Micro LED市場(chǎng)規模有望達到42億美元，與此同時(shí)，來(lái)自政策層面的利好同樣也在推動(dòng)Mini/Micro LED的發(fā)展，預計到2022年，我國超高清視頻產(chǎn)業(yè)總體規模將超過(guò)4萬(wàn)億元。Micro LED被認為是未來(lái)LED顯示技術(shù)發(fā)展新的風(fēng)口，有可能決定未來(lái)幾十年顯示技術(shù)的競爭格局，此前蘋(píng)果、Facebook、三星等多家國際巨頭均已布局。與此同時(shí)，Micro LED市場(chǎng)景氣度較高，年初至今Micro LED指數較高上沖至1539.09點(diǎn)，較年內最低點(diǎn)漲幅60.29%。
華燦光電作為全球領(lǐng)先的LED芯片制造商，公司尤為重視高端LED產(chǎn)品的研發(fā)，目前已開(kāi)發(fā)完成RGB Mini LED芯片、背光Mini LED芯片、超大電流密度白光LED芯片等專(zhuān)項，積累了一批核心技術(shù)。其中，公司開(kāi)發(fā)出的Mini LED顯示/背光芯片產(chǎn)品從光效、耐電流沖擊能力到一致性和可靠性，都有大幅提升和優(yōu)化，廣泛應用于會(huì )議，影院，消費電子、車(chē)載顯示等領(lǐng)域。
公司此次定增募資的Mini/Micro LED研發(fā)與制造項目主要產(chǎn)品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等，該項目符合公司布局高端LED的長(cháng)期發(fā)展戰略，將有助于公司繼續擴大在LED芯片領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢、鞏固LED顯示屏芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。Mini LED RGB顯示技術(shù)作為小間距顯示屏的自然延伸，P1.1以下的顯示屏應用，Mini LED 為主流芯片方案，且未來(lái)隨著(zhù)成本下降，Mini背光將大比例替代現有的LED背光，成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇。Micro LED的市場(chǎng)滲透率也將進(jìn)一步提升，公司有望盡享市場(chǎng)紅利。
搶灘新高地構建GaN功率器件完整產(chǎn)業(yè)鏈
受?chē)艺邔用胬�，第三代半導體有望成為我國半導體產(chǎn)業(yè)的突圍先鋒，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將充分受益。同時(shí)，人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應用發(fā)展持續向好，為以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體板塊提供了上漲支撐，年初至今，第三代半導體指數曾沖至3154.78較高點(diǎn)，較年初上漲84.93%。由此可見(jiàn)，無(wú)論政策還是資本市場(chǎng)無(wú)不傳達出第三代半導體行業(yè)蓬勃向上的信號，多家券商也給予第三代半導體行業(yè)“推薦”評級。
第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，是我國“新基建”建設至關(guān)重要的技術(shù)支撐。據Omdia預測，全球SiC和GaN功率半導體銷(xiāo)售收入將由2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元，至2029年底或超50億美元，未來(lái)十年將保持年均兩位數增速。其中，GaN的物理性質(zhì)與SiC類(lèi)似，能隙、飽和電子速度、臨界擊穿電場(chǎng)均高于SiC，被產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)廣泛關(guān)注，且以GaN為核心的射頻半導體支撐著(zhù)5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統的建設。
華燦光電緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，此次定增發(fā)力的GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目將建立GaN功率器件從設計開(kāi)發(fā)、外延生長(cháng)、芯片制造到晶圓測試的完整業(yè)務(wù)鏈，將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、制造與市場(chǎng)需求緊密結合，通過(guò)更快的產(chǎn)品迭代和穩定的良品率，以具有相當市場(chǎng)競爭力的性?xún)r(jià)比，快速推進(jìn)GaN功率器件的大規模產(chǎn)業(yè)化。
此次定增完成后，華燦光電在LED芯片行業(yè)的龍頭地位將得以鞏固，同時(shí)公司將建立在GaN功率器件領(lǐng)域的國內領(lǐng)先地位，實(shí)現公司向高端綜合半導體制造商的戰略升級，全面提升公司的核心競爭力和可持續發(fā)展能力。
