在“雙碳”目標背景下，我國電力系統將向以新能源為主體的新型電力系統轉型，儲能作為靈活調節電源在新型電力系統中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統中關(guān)鍵的一環(huán)，可控制儲能電池組充電和放電過(guò)程，在提高儲能系統的效率及降低成本方面起著(zhù)重要作用。

面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。


02
四大優(yōu)勢
全面揭曉NS62m 

兼容靈活性能佳

國星光電NS62m功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設計，內置NTC熱敏電阻，可實(shí)現溫度監控；采用62mm尺寸標準基板和接口，可兼容行業(yè)內各大主流產(chǎn)品，實(shí)現快速替換使用；具有150℃的連續工作溫度(Tvjop)和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力，器件可靠性表現卓越。

全橋拓撲可并聯(lián)

NS62m功率模塊以半橋電路結構應用于逆變器中。在實(shí)際應用中，一般會(huì )以2個(gè)或3個(gè)NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調的交流電，實(shí)現逆變功能�；�于NS62m功率模塊內SiC MOSFET的體二極管具有出色的開(kāi)關(guān)特性和反向恢復性能，因此在無(wú)需額外搭配二極管器件，更可滿(mǎn)足多數場(chǎng)景下的續流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個(gè)框圖代表一個(gè)NS62m功率模塊，此圖為2個(gè)NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲。

參數對比見(jiàn)真章

NS62m功率模塊在工作時(shí)可達到更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)，可幫助變換器系統效率的提升和散熱結構成本的降低。

根據實(shí)驗數據可得，與市場(chǎng)同等電流規格的產(chǎn)品對比，NS62m功率模塊動(dòng)態(tài)特性開(kāi)通延遲時(shí)間減少79納秒；上升時(shí)間減少42納秒；關(guān)斷延遲時(shí)間減少468納秒。開(kāi)啟損耗降低82%，關(guān)斷損耗降低92%，整體開(kāi)關(guān)損耗表現優(yōu)秀。

產(chǎn)品豐富因需至

針對傳統工控、儲能逆變、充電樁等應用領(lǐng)域的需求，國星光電NS62m SiC MOSFET模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進(jìn)的第三代半導體器件生產(chǎn)線(xiàn)，公司可響應不同封裝及規格的SiC功率模塊定制開(kāi)發(fā)需求，為客戶(hù)提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。

目前，國星光電正加速深入第三代半導體賽道，以自主創(chuàng )新為驅動(dòng)，努力攻克技術(shù)難關(guān)，加速科技成果轉化，推動(dòng)產(chǎn)品迭代更新，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)化高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的新活力。