晶能光電:三基色Micro LED顯示模組將于今年發(fā)布

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2023-02-21  瀏覽次數:2755
核心提示:晶能光電介紹,公司利用自主創(chuàng )新的硅襯底GaN基LED技術(shù),承擔硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā),為虛擬現實(shí)硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產(chǎn)品,助力超小輕薄AR眼鏡面市。
近日,央視《焦點(diǎn)訪(fǎng)談》欄目播出《強強聯(lián)合 補短“鍛”長(cháng)》,聚焦國家石墨烯創(chuàng )新中心、國家虛擬現實(shí)創(chuàng )新中心和國家超高清視頻創(chuàng )新中心三大國家級創(chuàng )新中心。晶能光電作為國家虛擬現實(shí)創(chuàng )新中心的組建單位之一,接受了央視采訪(fǎng)。

晶能光電介紹,公司利用自主創(chuàng )新的硅襯底GaN基LED技術(shù),承擔硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā),為虛擬現實(shí)硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產(chǎn)品,助力超小輕薄AR眼鏡面市。

據悉,出于對硅襯底GaN基Micro LED在A(yíng)R/VR產(chǎn)業(yè)應用前景的看好,晶能光電早在2018年便開(kāi)始硅襯底Micro LED的研發(fā)工作,并取得不少突破。

2020年,晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù),目前仍在持續研發(fā)以提升InGaN紅光光效;2021年9月,晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。目前,像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標已縮至8微米。

晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列(圖片來(lái)源:晶能光電)

據透露,晶能光電帶驅動(dòng)的三基色Micro LED顯示模組將于今年晚些時(shí)候發(fā)布。隨著(zhù)Micro LED技術(shù)及成本優(yōu)勢的放大,有望加速其在大屏、近眼顯示、車(chē)載等領(lǐng)域的大規模商用。

 
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