日本Sanix公司最新太陽(yáng)能逆變器采用科銳C2M SiC MOSFET，實(shí)現系統性能、高可靠性及性?xún)r(jià)比最佳組合
科銳（Nasdaq: CREE）宣布C2M系列1200V / 80mΩ SiC MOSFET被日本Sanix公司采用，應用在其新型9.9kW三相太陽(yáng)能逆變器的設計之中，以用于日本快速增長(cháng)的太陽(yáng)能市場(chǎng)商業(yè)光伏系統建設。
Sanix公司總經(jīng)理Hiroshi Soga表示：“通過(guò)與科銳的合作并采用其SiC技術(shù)，Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽(yáng)能市場(chǎng)爭取更多的市場(chǎng)份額，科銳SiC MOSFET是Sanix公司實(shí)現高效率與散熱設計目標的關(guān)鍵。同我們原先考慮采用的Si超結MOSFET相比，SiC技術(shù)能夠降低我們逆變器電子中超過(guò)30%的損耗。除了大幅提升效率之外，科銳最新一代C2M SiC MOSFET的價(jià)格也很有競爭力，使得替代低電壓、低耐受度、低效率的Si MOSFET成為可能。
科銳1200V C2M 0080120D MOSFET應用在太陽(yáng)能逆變器的主要電能轉換階段，具有更快的開(kāi)關(guān)特性，開(kāi)關(guān)損耗僅為相應的900V Si超結MOSFET的三分之一�？其JSiC MOSFET通過(guò)大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現更低的總體系統能源損耗、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度。所有這些優(yōu)點(diǎn)幫助提升轉換效率，同時(shí)降低了系統尺寸、重量、復雜度和熱管理要求。從系統層面來(lái)看，逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長(cháng)。
科銳功率與射頻總經(jīng)理兼副總裁Cengiz Balkas表示：“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M 1200V SiC MOSFET技術(shù)應用在其新型9.9 kW太陽(yáng)能逆變器中�？其JSiC功率器件為光伏逆變器帶來(lái)效率、可靠性及成本等多方面的顯著(zhù)優(yōu)勢，為Sanix公司提供關(guān)鍵競爭優(yōu)勢，從而幫助其在日本太陽(yáng)能市場(chǎng)中繼續擴大市場(chǎng)份額。”
科銳C2M系列SiC MOSFET業(yè)經(jīng)證明可實(shí)現三倍于傳統Si技術(shù)的功率密度，目前可提供1200V和1700V、25 mΩ到1 Ω不同產(chǎn)品型號可選�？其JC2M MOSFET可用于各種工業(yè)級功率型應用場(chǎng)合，自2013年3月推出以來(lái)市場(chǎng)需求就不斷增長(cháng)�？其JSiC MOSFET已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)，并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產(chǎn)商，以及工業(yè)電源、輔助電源轉換器、電池充電器和馬達驅動(dòng)生產(chǎn)制造商等供貨。
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