由于LED照明爆發(fā)性的增長(cháng)需求，直接帶動(dòng)MOCVD需求量的增加。
根據對全球主要MOCVD供應商的出貨量和我國近年新安裝MOCVD的數量對比，可以看出，近年來(lái)我國半導體照明產(chǎn)業(yè)對MOCVD的需求量一直占全球需求量的60%以上，是全球需求量最高的地區。筆者預計，2014年我國新增MOCVD數量將在150臺左右，總數將達到1240臺。到2015年LED照明市場(chǎng)滲透率將從目前的不足9%迅速上升到30%。
然而，中國MOCVD設備市場(chǎng)的火熱，也預示著(zhù)其中競爭程度也在暗中生長(cháng)。
來(lái)自德國愛(ài)思強股份有限公司的總裁兼CEO Martin Goetzeler先生表示：“我們會(huì )全力支持中國市場(chǎng)客戶(hù)，相信會(huì )有更好的未來(lái)。非常榮幸的邀請到我們的客戶(hù)和伙伴來(lái)現場(chǎng)講解和分享應用經(jīng)驗。我們希望我們在LED大規模制造環(huán)境下的革命性產(chǎn)品能更好的服務(wù)于客戶(hù)更好的大規模生產(chǎn)。”
隨后，德國愛(ài)思強股份有限公司首席技術(shù)官Andreas Toennis先生緊接著(zhù)對AIXTRON面對激烈競爭的LED大規模制造環(huán)境下的革命性產(chǎn)品進(jìn)行了詳細介紹。
AndreasToennis先生表示，LED芯片和封裝市場(chǎng)經(jīng)歷了多年的供給過(guò)剩，同時(shí)，LED中短波用戶(hù)認識到了LED在普通照明方面的潛力，推動(dòng)LED照明產(chǎn)品的加速采用。每流明成本的降低還是LED滲透率最重要的推動(dòng)力。最新的市場(chǎng)報告顯示在2015年和2016年LED芯片共計缺口還在增加。在激烈競爭的LED大規模生產(chǎn)市場(chǎng)，生產(chǎn)商需要在降低成本并提高LED的性能，同時(shí)滿(mǎn)足整個(gè)市場(chǎng)產(chǎn)能方面的需求。
“因為外延薄膜的生長(cháng)代表了芯片制造過(guò)程中最關(guān)鍵的技術(shù)，MOCVD大規模生產(chǎn)設備的性能具有戰略性的重要性。產(chǎn)能、良率和擁有成本CoO是在競爭中勝出的關(guān)鍵因素。AIXTRON愛(ài)思強MOCVD技術(shù)研發(fā)路線(xiàn)圖反映了這些市場(chǎng)需求的重要性。在和客戶(hù)緊密合作的條件下，AIXTRON定義了能夠讓MOCVD用戶(hù)來(lái)成功塑造將來(lái)市場(chǎng)的各關(guān)鍵因素。在本次報告中，AIXTRON愛(ài)思強首席技術(shù)官還詳細介紹改善生產(chǎn)經(jīng)濟效益和確保AIXTRON愛(ài)思強客戶(hù)更大的成功的快速而有效的路徑。”Andreas Toennis先生表示。
隨后，來(lái)自廣東德豪潤達電氣股份有限公司執行副總裁兼芯片事業(yè)部總經(jīng)理武良文博士作了題為“基于CRIUS II-XL平臺的4英寸大規模生產(chǎn)技術(shù)”的專(zhuān)題報告。該報告首先對LED照明市場(chǎng)及發(fā)展趨勢進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。武良文表示，目前在大規模生產(chǎn)情況下如何降低單位流明的成本是贏(yíng)得市場(chǎng)競爭的關(guān)鍵，預計2015年的新增產(chǎn)能也將以四寸為主。同時(shí)，他隨后還詳細闡述了利用CRIUS？II-XL平臺進(jìn)行4英寸大規模生產(chǎn)的技的優(yōu)勢，與在場(chǎng)的嘉賓及媒體朋友進(jìn)行了深入交流。
緊接著(zhù)，三安光電股份有限公司總經(jīng)理助理吳超瑜先生也對“基于A(yíng)IXTRONG4-TM機臺的四元產(chǎn)品穩定量產(chǎn)”進(jìn)行了詳細闡述。
吳超瑜表示，“三安光電生產(chǎn)各種四元產(chǎn)品，其亮度在市場(chǎng)上極具競爭力。并且，運用G4TM生產(chǎn)的LED產(chǎn)品的光電性能和各種維護條件下的機臺重復性，并與其前一代產(chǎn)品G3進(jìn)行對比，G4TM的維護周期短、系統恢復快等特點(diǎn)；4寸效益明顯，單片成本更優(yōu)。G4機臺可以實(shí)現超高亮度LED的穩定量產(chǎn)。通過(guò)優(yōu)化結構和機臺氣流后，可以實(shí)現超高亮度的穩定生產(chǎn)；適當調快生長(cháng)速率后仍然保持良好性能；TM和bake爐的合理搭配可以提升機臺的穩定性。”
同時(shí)，Laytec AG市場(chǎng)銷(xiāo)售總監Tom Thieme先生以題為“通過(guò)原位監測技術(shù)降低生產(chǎn)成本”的技術(shù)報告也引起現場(chǎng)嘉賓的極大關(guān)注。Tom Thieme表示，“由于對波長(cháng)均勻性和產(chǎn)品結果重復性更嚴格的控制要求，基于氮化鎵的器件結構，例如，高亮度發(fā)光二極管和紫外發(fā)光二極管的金屬有機化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)變得更加苛刻。為了滿(mǎn)足發(fā)光二極管在優(yōu)化產(chǎn)品良率及降低生產(chǎn)成本方面的目標，先進(jìn)的原位測量和工藝控制降低了外延芯片的經(jīng)營(yíng)成本。我們會(huì )皆是緣為測量是如何通過(guò)更精密以及更可靠的工藝控制來(lái)實(shí)現改進(jìn)改進(jìn)發(fā)光二極管器件產(chǎn)品這一工業(yè)目標。”
Tom Thieme先生還表示，在與MOCVD設備制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商的攻防統合作下，一個(gè)獨一無(wú)二的模塊化的原位平臺被建立起來(lái)，來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。我們強烈關(guān)注的是使用已被證明的原位檢測系統的優(yōu)勢，例如，對外延層溫度，所有生長(cháng)材料的反射率以及先進(jìn)曲率的精確可靠的檢測，以及把這些已知的優(yōu)勢擴展到工藝控制環(huán)境中。同時(shí)，在這次研討會(huì )上，愛(ài)思強還展示了該工藝控制平臺是如何來(lái)顯著(zhù)降低經(jīng)營(yíng)成本以及增加外延良率的。
據記者了解，目前在大功率應用方面，功率分布以及電子遷移方面，氮化鎵已經(jīng)引起了人們的興趣。為了加強這些應用在市場(chǎng)中的位置以及使他們可以商業(yè)化，先決條件是高電子遷移率晶體管的低成本生產(chǎn)。降低器件成本的其中一個(gè)因素就是增大襯底尺寸時(shí)材料生長(cháng)的均勻性和電性能的良率。此外，采用硅襯底來(lái)生長(cháng)外延材料也能使這些器件的成本降低，因為硅襯底更加便宜，而且有較大的尺寸，還可以跟硅半導體的后段工藝線(xiàn)保持一致性。
為此，德國愛(ài)思強股份有限公司研發(fā)副總裁Michael Heuken教授也以“作為功率電子器件必備方案的行星式反應器MOCVD技術(shù)”報告壓軸出場(chǎng)，與在場(chǎng)各位嘉賓及企業(yè)代表共通過(guò)分享了行星反應器MOCVD技術(shù)給企業(yè)帶來(lái)的新視角。
Michael Heuken教授表示，為了滿(mǎn)足這些需求，我們創(chuàng )建了可以放8片6寸片子的AIXG5高溫行星式反應式設備。并且，為了評估該反應室的性能，我們建立了在高硅襯底上高電子遷移率晶體結構的基準。最終晶體管被生產(chǎn)出來(lái)，性能也被表征了。與此同時(shí)，目前我們我們得到了高擊穿電壓和高漏電流密度的晶體管，這些晶體管也顯示了非常好的價(jià)值性能，使大功率器件能量有很低的損失。我們依據在可以生長(cháng)5片200毫米襯底的AIXG+行星式金屬有機化學(xué)氣相沉積反應室上的實(shí)驗結果解釋并討論額外的結果，以及一種更大尺寸襯底的轉移策略。
