不久前，中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時(shí)間，在國內率先實(shí)現了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
第三代半導體材料
研究人員表示，上世紀五六十年代，硅和鍺構成了第一代半導體材料，主要應用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中。相比于鍺半導體器件，硅材料制造的半導體器件耐高溫和抗輻射性能較好。
到了上世紀60年代后期，95%以上的半導體、99%的集成電路都是用硅半導體材料制造的。直到現在，我們使用的半導體產(chǎn)品大多是基于硅材料的。
進(jìn)入上世紀90年代后，砷化鎵、磷化銦代表了第二代半導體材料，可用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件。因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，第二代半導體材料被廣泛應用于衛星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和GPS導航等領(lǐng)域。
與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料通常又被稱(chēng)為寬禁帶半導體材料或高溫半導體材料。其中，碳化硅和氮化鎵在第三代半導體材料中是發(fā)展成熟的代表。
據了解到，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場(chǎng)強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點(diǎn)，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。
關(guān)于氮化鎵，曾有報道稱(chēng)，一片2英寸的氮化鎵晶片，可以生產(chǎn)出1萬(wàn)盞亮度為節能燈10倍、發(fā)光效率為節能燈3～4倍、壽命為節能燈10倍的高亮度LED照明燈；也可以制造出5000個(gè)平均售價(jià)在100美元左右的藍光激光器；還可以被應用在電力電子器件上，使系統能耗降低30%以上。
由于碳化硅和氮化鎵的晶格失配小，碳化硅單晶是氮化鎵基LED、肖特基二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管等器件的理想襯底材料。物理所先進(jìn)材料與結構分析實(shí)驗室陳小龍研究組(功能晶體研究與應用中心)長(cháng)期從事碳化硅單晶生長(cháng)研究工作。
大尺寸晶片的突圍
雖然用于氮化鎵生長(cháng)最理想的襯底是氮化鎵單晶材料，該材料不僅可以大大提高外延膜的晶體質(zhì)量，降低位錯密度，還能提高器件工作壽命、工作電流密度和發(fā)光效率。但是，制備氮化鎵體單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。
為此，科研人員在其他襯底(如碳化硅)上生長(cháng)氮化鎵厚膜，然后通過(guò)剝離技術(shù)實(shí)現襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離后的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。盡管以氮化鎵厚膜為襯底的外延，相比在碳化硅材料上外延的氮化鎵薄膜，位元錯密度要明顯低，但價(jià)格昂貴。
于是，陳小龍團隊選擇了碳化硅單晶襯底研究。他指出，碳化硅單晶襯底有許多突出的優(yōu)點(diǎn)，如化學(xué)穩定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見(jiàn)光等，但也有不足，如價(jià)格太高。
碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在電阻爐內經(jīng)高溫冶煉而成。碳化硅單晶系第三代高溫寬帶隙半導體材料。
早年，全球市場(chǎng)上碳化硅晶片價(jià)格十分昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國際市場(chǎng)價(jià)格曾高達500美元(2006年)，但仍供不應求。高昂的原材料成本占碳化硅半導體器件價(jià)格的10%以上，“碳化硅晶片價(jià)格已成為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。”陳小龍說(shuō)。
為了降低器件成本，下游產(chǎn)業(yè)對碳化硅單晶襯底提出了大尺寸的要求。因而，采用先進(jìn)的碳化硅晶體生長(cháng)技術(shù)，實(shí)現規�；a(chǎn)，降低碳化硅晶片生產(chǎn)成本，將促進(jìn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，拓展市場(chǎng)需求。
天科合達成立于2006年，依托于陳小龍研究團隊中在碳化硅領(lǐng)域的研究成果。自成立以來(lái)，天科合達研發(fā)出碳化硅晶體生長(cháng)爐和碳化硅晶體生長(cháng)、加工技術(shù)及專(zhuān)業(yè)設備，建立了完整的碳化硅晶片生產(chǎn)線(xiàn)。
這些年來(lái)，天科合達致力于提高碳化硅晶體的質(zhì)量，以及大尺寸碳化硅晶體的研發(fā)，將先進(jìn)的碳化硅晶體生長(cháng)和加工技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，大規模生產(chǎn)和銷(xiāo)售具有自主知識產(chǎn)權的碳化硅晶片。
10年自主創(chuàng )新之路
美國科銳公司作為碳化硅襯底提供商，曾長(cháng)期壟斷國際市場(chǎng)。2011年，科銳公司發(fā)布了6英寸碳化硅晶體，同年，天科合達才開(kāi)始量產(chǎn)4英寸碳化硅晶體。
美國在碳化硅晶片技術(shù)上遙遙領(lǐng)先，廣泛應用于F-22等先進(jìn)武器
2013年，陳小龍團隊開(kāi)始進(jìn)行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作，用了近一年的時(shí)間，團隊研發(fā)的國產(chǎn)6英寸碳化硅單晶襯底問(wèn)世。測試證明，國產(chǎn)6英寸碳化硅晶體的結晶質(zhì)量很好，該成果標志著(zhù)物理所碳化硅單晶生長(cháng)研發(fā)工作已達到國際先進(jìn)水平，可以為高性能碳化硅基電子器件的國產(chǎn)化提供材料基礎。
“雖然起步有點(diǎn)晚，但通過(guò)10多年的自主研發(fā)，我們與國外的技術(shù)差距在逐步縮小。”陳小龍說(shuō)。作為國內碳化硅晶片生產(chǎn)制造的先行者，天科合達打破了國外壟斷，填補了國內空白，生產(chǎn)的碳化硅晶片不僅技術(shù)成熟，還低于國際同類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格。
截至2014年3月，天科合達形成了一條年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅晶片的生產(chǎn)線(xiàn)，促進(jìn)了我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的持續穩定發(fā)展，取得了較好的經(jīng)濟效益和社會(huì )效益。
陳小龍指出，當前碳化硅主要應用于三大領(lǐng)域：高亮度LED、電力電子以及先進(jìn)雷達，以后還可能走進(jìn)家用市場(chǎng)，這意味著(zhù)陳小龍團隊的自主創(chuàng )新和產(chǎn)業(yè)化之路還將延續。
