石墨烯制備技術(shù)不斷突破。美國能源部旗下的阿貢國家實(shí)驗室(Argonne National Laboratory)新開(kāi)發(fā)了一個(gè)應用金剛石襯底材料通過(guò)超高速化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備單晶石墨烯的技術(shù)，這個(gè)技術(shù)可以大大降低石墨烯膜的成本。在中國，北京大學(xué)和香港理工大學(xué)合作通過(guò)改進(jìn)化學(xué)氣相沉積法來(lái)有效提高石墨烯單晶膜的生長(cháng)速度。最近，更有日本研究者開(kāi)發(fā)了低溫CVD方法直接將石墨烯生長(cháng)在塑料或者二氧化硅基底上，來(lái)避免單晶膜轉移時(shí)可能受到的損傷。預計2018年會(huì )有更新穎的石墨烯制備技術(shù)出現。石墨烯產(chǎn)品良率進(jìn)一步提高
產(chǎn)品分類(lèi)