摘要:LED(Light-Emitting-Diode )以其高光效、低功耗的綠色節能優(yōu)越性,成為新時(shí)期下的主流光源。目前LED主要依賴(lài)于引線(xiàn)鍵合(Wire-Bonding)的方式將芯片電極與基板互連實(shí)現電氣連接,而鍵合線(xiàn)往往在冷熱沖擊試驗過(guò)程中出現斷裂問(wèn)題,導致LED死燈失效,嚴重影響了LED的可靠性。本文針對這一問(wèn)題,通過(guò)有限元數值分析,通過(guò)加載周期性的溫度載荷模擬LED鍵合線(xiàn)在冷熱沖擊下受到的熱載荷,分析了LED鍵合線(xiàn)在該熱載荷條件下的應力分布情況,并探討了不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式對鍵合線(xiàn)熱應力的影響,為L(cháng)ED引線(xiàn)鍵合的工藝優(yōu)化提供了參考。
關(guān)鍵詞:LED;引線(xiàn)鍵合;冷熱沖擊;熱應力;數值模擬
0 序言
LED是一種直接將電能轉化為光能的半導體光源,具有節能、環(huán)保、安全、壽命長(cháng)、低功耗等特點(diǎn),廣泛應用于指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域[1]。其芯片與基板之間通常采用引線(xiàn)鍵合進(jìn)行電氣連接,即通過(guò)熱、壓力、超聲波等能量使金屬引線(xiàn)與被焊焊盤(pán)發(fā)生原子間擴散互溶,實(shí)現芯片電極-鍵合線(xiàn)-基板彼此之間的鍵合連接。
在LED的生產(chǎn)制造中,為了解、評價(jià)、分析和提高LED的環(huán)境適應性,常對LED進(jìn)行相關(guān)可靠性試驗[2],冷熱沖擊試驗即為其中一種。該實(shí)驗通過(guò)對LED施加周期性瞬變的冷熱溫度循環(huán),試驗其所能承受的因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。在該試驗中,LED鍵合線(xiàn)常成為其中的薄弱部位,其在試驗中的斷線(xiàn)與否對LED可靠性起著(zhù)關(guān)鍵性作用。
為了了解LED鍵合線(xiàn)在冷熱沖擊試驗下的斷裂機理,本文從材料的熱應力基礎理論出發(fā),構建冷熱沖擊條件下的LED鍵合線(xiàn)模型,并通過(guò)有限元數值模擬對鍵合線(xiàn)的熱應力進(jìn)行計算分析,進(jìn)而確認鍵合線(xiàn)熱應力分布情況及影響熱應力的相關(guān)參數。
1 熱應力基礎理論
熱應力又稱(chēng)溫變應力。產(chǎn)生熱應力的必要條件是存在溫差,當溫差引起的結構形變受到約束時(shí)即可產(chǎn)生熱應力。約束有三種形式,即外部剛性約束、內部各部分之間變形約束以及不同材料之間的相互變形約束。對于LED而言,冷熱沖擊條件下,LED受到周期性的熱脹冷縮,各材料之間熱膨脹系數不同又相互約束,因此在各材料界面,極易產(chǎn)生應力集中。
根據線(xiàn)性熱應力理論,微元體的總應變由兩部分組成:一部分由溫度變化引起,另一部分由應力引起,即:
根據傳熱學(xué)原理,一維等截面桿由溫度產(chǎn)生的結構形變(即熱應變)為:
其中,-材料線(xiàn)膨脹系數,
-溫差,
-一維方向初始長(cháng)度,
-長(cháng)度變化。
對于各向同性的三維結構,以上應變在各個(gè)方向均相同,但并不產(chǎn)生剪應變,即存在:
因此,平面結構(即 =0時(shí))的熱應變?yōu)椋?br />
而彈性應變是由應力引起的:
所以在存在熱應變的情況下,結構物理方程為:
式中,[D] -計算平面應力問(wèn)題的彈性矩陣, [B]-應變矩陣。根據彈性力學(xué)公式:
寫(xiě)成矩陣形式寫(xiě)成:
這里的 是平面應力問(wèn)題中的單元剛度矩陣和節點(diǎn)力矩陣。
式中 是由于溫度變化而增加的單元變溫等效節點(diǎn)載荷矩陣。
通過(guò)求解溫度方程求出各個(gè)節點(diǎn)的溫度值以后,就可以求出溫度載荷,式中單元的溫升可以取各個(gè)節點(diǎn)的溫升的平均值 ,即:
式中 —計算出的節點(diǎn)溫度;
—結構的初始溫度將求解域中所有單元的變溫等效節點(diǎn)載荷疊加后,形成整個(gè)結構的溫度載荷陣列,即:
最后,將得到的溫度變化 視為一種溫度載荷,并形成溫度載荷列陣后,就可以按與靜力分析相同的方法求解熱變形,則求解熱變形的剛度方程為:
解上式可以求出結構的熱變形 ,進(jìn)而能求出相應的熱應力。
在冷熱沖擊過(guò)程中,由于LED封裝體各部分組件材料的熱膨脹系數不同,將產(chǎn)生周期性的膨脹與收縮。鍵合線(xiàn)會(huì )受到不同程度的剪切和拉伸,在鍵合線(xiàn)三維結構中應力呈多軸狀態(tài)分布,因而在分析鍵合線(xiàn)在冷熱沖擊溫度循環(huán)條件下的力學(xué)行為時(shí),采用表示綜合應力強度的等效應力來(lái)描述鍵合線(xiàn)的應力分布狀態(tài)。
基于第四強度理論 Von Mises準則,等效應力用應力張量的分量表示為:
式中 —等效應力(Pa);
—X 方向正應力(Pa);
—Y 方向正應力(Pa);
—Z 方向正應力(Pa);
—垂直于 X 軸平面的 Y 方向剪應力(Pa);
—垂直于 Y 軸平面的 Z 方向剪應力(Pa);
—垂直于 X 軸平面的 Z 方向剪應力(Pa)
由上述分析可知,對于LED而言,環(huán)境溫度溫差越大、封裝材料之間的熱膨脹系數相差越大、材料的彈性模量越大,LED受到熱應力越大,隨著(zhù)時(shí)間增加,材料界面應力集中容易產(chǎn)生疲勞斷裂。
當賦予LED各封裝材料以熱力學(xué)屬性,施加材料的熱邊界條件,即可由以上各公式對LED三維模型的等效熱應力進(jìn)行分析求解,便可得出熱載荷條件下LED各封裝材料各位置的等效應力情況。其中,分析求解過(guò)程可通過(guò)有限元數值模擬求解實(shí)現[3-5]。
2 有限元數值模擬分析
2.1 有限元模型建立
本文首先針對實(shí)際使用的小電極LED器件模型進(jìn)行了三維幾何構建,如圖1所示。其中鍵合線(xiàn)由芯片電極植球引出,向支架焊盤(pán)處實(shí)現楔形鍵合。芯片、支架、鍵合線(xiàn)、封裝膠一一裝配約束。
(a)LED器件幾何模型(b)LED鍵合線(xiàn)幾何模型
圖1 LED三維幾何模型
LED器件模型中的主要材料熱力學(xué)特性參數如表1所示,包括密度ρ、熱膨脹系數α、彈性模量E、泊松比ν和傳熱系數K。
表1 材料特性參數
為了求解LED三維模型的熱應力,特別是LED鍵合線(xiàn)的熱應力分布,對封裝結構進(jìn)行了有限元網(wǎng)格劃分,其中芯片及電極等細微結構部分進(jìn)行精細化分,如圖2所示。
圖2LED三維有限元模型
以冷熱沖擊試驗條件對LED有限元模型施加溫度載荷,如圖3所示。高低溫溫度區間為(-40℃-100℃),保溫時(shí)間為30min,升/降溫時(shí)間為10s,零應力參考溫度為25℃。
圖3 LED有限元模型溫度載荷
對LED有限元模型中心施以剛性約束,其余部分可自由發(fā)生形變。
2.2LED鍵合線(xiàn)熱應力分析
從有限元數值分析結果來(lái)看,對于小電極LED,在冷熱沖擊試驗條件下,LED各封裝材料發(fā)生周期性地膨脹與收縮。當溫度下降至﹣40℃時(shí), LED各材料發(fā)生收縮變形,由于封裝膠熱膨脹系數明顯大于金線(xiàn),因此鍵合線(xiàn)受到封裝膠收縮產(chǎn)生的向內壓應力,如圖4所示,鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧呈向內傾倒趨勢。
圖4 -40℃LED鍵合線(xiàn)壓縮變形圖
鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧內側最大壓應力位于直線(xiàn)段與線(xiàn)弧段的過(guò)渡拐點(diǎn),外側最大壓應力位于直線(xiàn)段與焊球之間的鍵合點(diǎn),線(xiàn)弧外側受到的壓應力大于線(xiàn)弧內側受到的壓應力,如圖5所示。
(a)線(xiàn)弧內側(b)線(xiàn)弧外側
圖5 -40℃鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧壓應力分布圖
當溫度上升至100℃時(shí), LED各材料發(fā)生膨脹變形,同樣由于膠體的膨脹變形較大,對鍵合線(xiàn)造成向外的拉伸應力,如圖6所示,鍵合線(xiàn)向外側傾倒。
圖6 100℃LED鍵合線(xiàn)拉伸變形圖
鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧內側最大拉應力位于直線(xiàn)段與線(xiàn)弧段的過(guò)渡拐點(diǎn),外側最大拉應力位于直線(xiàn)段與焊球之間的鍵合點(diǎn),線(xiàn)弧外側受到的拉應力大于線(xiàn)弧內側受到的拉應力,如圖7所示。



(a)線(xiàn)弧內側(b)線(xiàn)弧外側
圖7 100℃鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧拉應力分布圖
總體而言,冷熱沖擊過(guò)程中金屬線(xiàn)的最大熱應力如表2所示?梢钥吹剑
LED鍵合線(xiàn)在100℃高溫段受到的熱應力最大,應力最大點(diǎn)位于線(xiàn)弧直線(xiàn)段與焊球之間的鍵合點(diǎn)。
表2冷熱沖擊過(guò)程金屬線(xiàn)最大熱應力表
為了進(jìn)一步分析該鍵合點(diǎn)應力最大的原因,我們將鍵合線(xiàn)拆分為以下幾個(gè)關(guān)鍵位置點(diǎn):金屬球與小電極的鍵合點(diǎn)(A點(diǎn))、直線(xiàn)與金屬球過(guò)渡點(diǎn)(B點(diǎn))、線(xiàn)弧任一位置(C點(diǎn))、弧線(xiàn)與魚(yú)尾過(guò)渡點(diǎn)(D點(diǎn))、魚(yú)尾與支架鍵合點(diǎn)(E點(diǎn)),如圖8所示。以各點(diǎn)所在界面為分界面,通過(guò)分析界面處應力情況及界面兩側部件受力情況,對界面處的綜合受力情況進(jìn)行分析。
圖8鍵合線(xiàn)關(guān)鍵位置點(diǎn)示意圖
對各點(diǎn)受溫度變化產(chǎn)生的熱應力進(jìn)行逐一比較:A點(diǎn)所在界面為芯片電極、金屬球界面。如表1所示,界面處兩種材料的熱膨脹系數差微小,即可同時(shí)進(jìn)行收縮膨脹,應力較小。另A界面的金球一側同時(shí)受到來(lái)自膠體收縮膨脹的切向力,但由于:
A界面面積較大且為剛性連接面,因此在應力牽扯下應變小,不易斷裂。
B點(diǎn)所處界面為小直徑金屬線(xiàn)、大直徑金屬球界面。當外部環(huán)境發(fā)生溫度變化,界面兩側材料相同,熱膨脹系數相同,因此應力主要來(lái)源于膠體。相比于A(yíng)界面,B點(diǎn)界面要小的多,極易出現應力集中尖角,產(chǎn)生極大熱應力,冷熱反復下出現疲勞斷裂。
C點(diǎn)界面為金屬線(xiàn)與金屬線(xiàn)界面,由于界面處及界面兩側空間受力完全一致,且其界面為撓性接觸面,金屬線(xiàn)不論沿徑向還是法向都可與封裝膠同步發(fā)生伸縮形變,因此相對A、B點(diǎn)應力要顯著(zhù)減小。
D點(diǎn)界面為金屬線(xiàn)、魚(yú)尾界面,其中金屬線(xiàn)與魚(yú)尾部分為剛性連接,且界面面積小,同B點(diǎn)類(lèi)似,也是應力尖角位置。在小電極LED中,D點(diǎn)金屬線(xiàn)平滑過(guò)渡到魚(yú)尾,金屬線(xiàn)與魚(yú)尾之間的面積差相對較小,因此D點(diǎn)的應力要次于B點(diǎn)的應力,這從圖5(b)、圖7(b)中也可以看出。
E點(diǎn)界面與A點(diǎn)類(lèi)似,為魚(yú)尾、支架焊盤(pán)與封裝膠的三界面,雖然魚(yú)尾與支架焊盤(pán)存在剛性連接,但界面面積大,受溫度變化產(chǎn)生的熱應力相對較小。
綜合來(lái)看,在冷熱沖擊過(guò)程中,鍵合線(xiàn)B點(diǎn)受到的熱應力最大,D點(diǎn)次之,C點(diǎn)再次之,A、E兩點(diǎn)受到的熱應力最小。
2.3不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式對熱應力的影響
鍵合線(xiàn)線(xiàn)弧通常由直線(xiàn)段和弧線(xiàn)段組成,而不同直線(xiàn)段長(cháng)度與弧線(xiàn)段高度組成了不同的線(xiàn)弧模式。為了分析不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式對鍵合線(xiàn)的熱應力影響,以冷熱沖擊下的最大等效熱應力作為依據,通過(guò)有限元數值模擬,針對不同直線(xiàn)長(cháng)度和弧線(xiàn)高度作正交計算對比,得到了小電極LED不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式下的最大熱應力,如表3所示,以直線(xiàn)長(cháng)度100mm,弧線(xiàn)高度160mm線(xiàn)弧最大應力值為基準進(jìn)行歸一化處理。
表3不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式下的鍵合線(xiàn)相對熱應力對比表
更直觀(guān)地,從圖9中可以看到:存在直線(xiàn)段時(shí),同直線(xiàn)長(cháng)度條件下,隨著(zhù)弧高的增加,鍵合線(xiàn)熱應力先減小后增大,因此弧線(xiàn)高度存在一最佳值。無(wú)直線(xiàn)段時(shí),隨著(zhù)弧高的增加,鍵合線(xiàn)的熱應力增加。
圖9同直線(xiàn)長(cháng)度不同弧高的鍵合線(xiàn)熱應力
從圖10中可以看到:同弧高條件下,隨著(zhù)直線(xiàn)長(cháng)度的增加,鍵合線(xiàn)熱應力先增大后減小。然而在實(shí)際制程中,離鍵合位置較近的材料受高溫、超聲等影響會(huì )發(fā)生脆化,在較小應力的條件下同樣會(huì )發(fā)生斷裂,因此需一定長(cháng)度的直線(xiàn)段進(jìn)行保護。
圖10同弧高不同直線(xiàn)長(cháng)度的鍵合線(xiàn)熱應力
綜合來(lái)看,不同直線(xiàn)長(cháng)度和弧線(xiàn)段高度所組成的不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式對LED鍵合線(xiàn)在冷熱沖擊下所承受的熱應力存在影響。匹配優(yōu)化直線(xiàn)長(cháng)度和弧線(xiàn)高度,可以有效減小LED鍵合線(xiàn)熱應力,減小鍵合點(diǎn)位置因長(cháng)期應力集中造成的疲勞斷裂,提高鍵合線(xiàn)熱穩定性,進(jìn)而提高LED的產(chǎn)品可靠性。
3 結論
本文從材料的熱應力基礎理論出發(fā),針對冷熱沖擊下的小電極LED鍵合線(xiàn)熱應力分布做了數值模擬分析。結論如下:
(1)由熱應力基礎理論模型來(lái)看,溫差越大、材料的熱膨脹系數相差越大、材料的彈性模量越大,LED材料受到熱應力越大,隨著(zhù)時(shí)間增加,材料界面應力集中容易產(chǎn)生疲勞斷裂,因此在LED封裝中應著(zhù)重考慮各封裝材料之間的材料匹配性。
(2)冷熱沖擊下,LED引線(xiàn)周期性地受到收縮壓應力和膨脹拉應力。對于小電極LED而言,最大應力出現在高溫時(shí)鍵合線(xiàn)與焊球之間的過(guò)渡位置。
(3)不同引線(xiàn)線(xiàn)弧模式對LED鍵合線(xiàn)的熱應力存在影響;對于小電極LED而言,當直線(xiàn)段較短時(shí),隨著(zhù)弧高的增大,熱應力逐漸增大;當直線(xiàn)段較長(cháng)時(shí),隨著(zhù)弧高的增大,熱應力先減小后增大。當弧高一定時(shí),隨著(zhù)直線(xiàn)段的增高,熱應力先增大后減小,但由于鍵合點(diǎn)附近材料易脆化,因此需綜合考慮以上因素選取最佳直線(xiàn)段長(cháng)度。
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