近日，麻省理工研究團隊宣布，當前設計一款實(shí)用性非常強的硅基LED，它將采用正偏方法，相較于其他的硅基LED亮度提升10倍。

本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同時(shí)將LED中PN結的組合方式進(jìn)行改變，成功將硅材料的光電能量轉換效率提高，進(jìn)一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。

對于硅材料來(lái)說(shuō)，這是人類(lèi)使用最廣泛的材料之一，主要使用在制造半導體器件和集成電路領(lǐng)域中。不過(guò)由于硅材質(zhì)的特殊性，始終沒(méi)有涉及至光學(xué)領(lǐng)域中，所以硅基LED一直沒(méi)有實(shí)現。

發(fā)光二極管內的PN結包含一個(gè)P區和N區，這將決定二極管的發(fā)光效率。其中，N區內充滿(mǎn)受激的自由電子，P區則具備帶正電荷的空穴，吸引著(zhù)P區的電子。隨著(zhù)電子沖入空穴，電子能級驟降，便可以釋放出能量差。然而不同的半導體材料具備不同的電子和空穴的能量，因此所釋放出來(lái)的能量便具備一定的差異。

目前應用較為普遍的氮化鎵、砷化鎵等材料屬于直接帶隙材料，常用于LED中，它的導帶最小值和價(jià)帶最大值具有同一電子動(dòng)量，導帶底的電子與價(jià)帶頂的空穴可以通過(guò)輻射復合而發(fā)光，復合幾率大，發(fā)光效率高。

而硅作為一種間接帶隙半導體材料，其導帶最小值和價(jià)帶最大值的動(dòng)量值不同，它更傾向于將能量轉化為熱，而不是光，所以其轉換速度和效率都不如其他材料。

而在今年，荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)Erik Bakkers領(lǐng)導的研究團隊采用VLS生長(cháng)納米硅線(xiàn)成功研制一種新型的硅鍺合金發(fā)光材料，成功改善上述問(wèn)題，并且通過(guò)該材料研制出一款能夠集成到現有芯片中的硅基激光器。該款激光器的研制成功，可能會(huì )在未來(lái)大幅降低數據傳輸的成本，并提高效率。

而本次麻省理工團隊進(jìn)一步提升了硅材質(zhì)的使用概率，提出了一種N區和P區的新型連接方法，將N區和P區從傳統的并列排放改為垂直疊放，讓二極管內的電子及空穴遠離表面和邊緣區域，防止電子將電能轉換為熱量，從而提高發(fā)光效率。

美國國家標準與技術(shù)研究院對該款新型硅基LED作出了評價(jià)：“如果你需要低效率、高能耗的光學(xué)器件，那么這款新型硅基LED很適合你。這款LED相較于市場(chǎng)現有產(chǎn)品，制造成本要低很多，更何況現有LED產(chǎn)品尚未集成到芯片上。”

麻省理工研究團隊的研究人員拉杰夫·拉姆表示，硅基LED的特性非常符合近程傳感的需求，并透露團隊將針對智能手機平臺研發(fā)一個(gè)用于近距離測距的全硅基LED系統。

據悉，本次推出的新款硅基LED在IEEE國際電子器件大會(huì )上進(jìn)行展示，并且將在近程傳感方面有更加廣泛的應用場(chǎng)景。同時(shí)，麻省理工研究團隊還準備將此款新款硅基LED集成至CMOS芯片之中，并交于格羅方德在新加坡進(jìn)行生產(chǎn)。