近日,成都辰顯光電有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)辰顯光電)在成都高新區成功點(diǎn)亮了國內首款P0.5 TFT基無(wú)邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片,由4個(gè)14.5英寸Micro-LED箱體拼接組成,像素間距為500微米,在行業(yè)內處于領(lǐng)先地位。
這款拼接屏采用了國內首款Micro-LED專(zhuān)用驅動(dòng)IC,實(shí)現了10 bit色深和240 Hz高刷新率,并配合特有的De-Mura方案,顯著(zhù)提升了顯示效果。
同時(shí),辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅動(dòng)電路架構,成功實(shí)現了600 nit亮度(支持HDR功能,最高可達1000 nit)。
此外,該拼接屏還取得了多項重要的技術(shù)突破:
1、國內首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏,實(shí)現了真正意義上的無(wú)限拼接
在Micro-LED顯示技術(shù)的發(fā)展中,無(wú)限拼接一直被視為一項重要的目標。辰顯光電目前實(shí)現的這項技術(shù)突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接領(lǐng)域擁有了更高的分辨率和更出色的顯示效果。用戶(hù)能夠根據自己的需求,自由拼接Micro-LED屏幕,形成任意尺寸的顯示畫(huà)面,為高端應用提供了更加靈活和多樣化的解決方案。
2、封裝反射率降低到5%以下
辰顯光電成功降低了IJP(Inkjet Printing)封裝的反射率,使其穩定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一,其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰之一。通過(guò)技術(shù)團隊的不懈努力,辰顯光電成功地克服了這一難題,確保Micro-LED顯示畫(huà)面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果,為用戶(hù)帶來(lái)更加清晰和逼真的視覺(jué)體驗。
值得一提的是,辰顯光電還引入了自主開(kāi)發(fā)的高速巨量轉移技術(shù),將25微米LED芯片轉移良率提升至99.995%。同時(shí),采用了LED后處理技術(shù),確保了顯示色彩的一致性和鮮艷度。
為了推動(dòng)Micro-LED顯示技術(shù)在中國的發(fā)展,今年7月辰顯光電已經(jīng)與成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區管理委員會(huì )正式簽署了Micro-LED顯示屏生產(chǎn)基地項目投資合作協(xié)議。這意味著(zhù)全球首條TFT基Micro-LED顯示屏生產(chǎn)線(xiàn)即將在四川成都正式啟動(dòng)。據預測,辰顯光電的TFT基Micro-LED產(chǎn)品將在2024年進(jìn)入正式出貨階段。
這一突破性的進(jìn)展將為用戶(hù)帶來(lái)全新的驚喜,同時(shí)對整個(gè)顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動(dòng)作用。辰顯光電在Micro-LED技術(shù)領(lǐng)域的不斷創(chuàng )新和發(fā)展,為中國顯示技術(shù)走向國際舞臺提供了強有力的支持。
同時(shí),辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅動(dòng)電路架構,成功實(shí)現了600 nit亮度(支持HDR功能,最高可達1000 nit)。
1、國內首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏,實(shí)現了真正意義上的無(wú)限拼接
辰顯光電成功降低了IJP(Inkjet Printing)封裝的反射率,使其穩定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一,其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰之一。通過(guò)技術(shù)團隊的不懈努力,辰顯光電成功地克服了這一難題,確保Micro-LED顯示畫(huà)面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果,為用戶(hù)帶來(lái)更加清晰和逼真的視覺(jué)體驗。