4月6日，華引芯發(fā)布了全新自研0.4英寸Micro LED模組。該模組集成了129600個(gè)像素點(diǎn)，最小芯片單元尺寸及像素間距為18μm，擁有480270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的對比度，適用于A(yíng)R、汽車(chē)抬頭顯示（HUD）、智能光源顯示等領(lǐng)域。

華引芯介紹，相比采用約2萬(wàn)顆Mini LED燈珠的高階Mini LED顯示模組，本次其推出的Micro LED模組擁有129600個(gè)可單獨驅動(dòng)的像素點(diǎn)，實(shí)現了像素級控光效果，比Mini LED的分區背光控制更加直接和純粹。

華引芯指出，EQE是指發(fā)射到外部的光子數與流過(guò)結的載流子數目之比，EQE越大，LED發(fā)光效率越高。而解決Micro LED的發(fā)光效率問(wèn)題，是實(shí)現大規模量產(chǎn)的基礎。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比較嚴重的側壁效應影響，各種側壁缺陷主要在蝕刻過(guò)程中出現，這些缺陷會(huì )導致非輻射復合。在低電流密度下，Micro LED的效率將非常低下。對此，華引芯認為可以通過(guò)優(yōu)化LED芯片結構設計、改善工藝流程等來(lái)減少側壁效應，從而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，華引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding轉移方案，并通過(guò)新型LED芯片結構設計及改進(jìn)工藝等方法提升了芯片的EQE，產(chǎn)品良率及性能得到顯著(zhù)的提升。此外，華引芯從芯片到封裝再到模組的所有環(huán)節都是自主設計制造，有助于其提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性，進(jìn)而幫助控制成本，有望推動(dòng)Micro LED的量產(chǎn)進(jìn)程。

不過(guò)，華引芯也提到，目前Micro LED技術(shù)仍然面臨一些技術(shù)壁壘，除了芯片效率、巨量轉移及全彩化之外，電源驅動(dòng)、背板、檢測與修復技術(shù)等方面也還未達到量產(chǎn)的水平，因此，Micro LED的量產(chǎn)還需靠全產(chǎn)業(yè)鏈的共同推動(dòng)。