近日，國星光電受第三代半導體聯(lián)盟標委會(huì )（CASAS）邀請參與了《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》兩項團體標準的起草與草案討論（線(xiàn)上），助力加速第三代半導體國產(chǎn)化替代進(jìn)程。
《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》標準草案線(xiàn)上討論會(huì )于5月26日、6月10日先后召開(kāi)，國星光電研究院代表參加了標準的線(xiàn)上討論并對標準修訂提出了重要建議與意見(jiàn)。兩次線(xiàn)上研討會(huì )共計有三十多人（次）來(lái)自產(chǎn)學(xué)研不同領(lǐng)域的專(zhuān)家代表參與。
以SiC為代表的第三代半導體材料的開(kāi)發(fā)與應用已寫(xiě)入“十四五規劃”，國家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進(jìn)著(zhù)。隨著(zhù)航天、航空、石油勘探、核能、汽車(chē)等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展，尤其是新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，在國產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動(dòng)下，我國半導體市場(chǎng)持續不斷地升溫。國星光電也在大力布局“三代半封測”業(yè)務(wù)，積極持續加大第三代半導體的研究開(kāi)發(fā)和技術(shù)成果轉化，望在國產(chǎn)替代的偉大宏圖上貢獻國星力量，為廣晟集團奮進(jìn)世界500強注入強勁動(dòng)能。
《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》兩項團體標準提案由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭，經(jīng)CASA標準化委員會(huì )（CASAS）管理委員會(huì )審核，兩項提案均立項通過(guò)[1]。
▲兩項標準草案
《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》標準草案線(xiàn)上討論會(huì )于5月26日、6月10日先后召開(kāi)，國星光電研究院代表參加了標準的線(xiàn)上討論并對標準修訂提出了重要建議與意見(jiàn)。兩次線(xiàn)上研討會(huì )共計有三十多人（次）來(lái)自產(chǎn)學(xué)研不同領(lǐng)域的專(zhuān)家代表參與。
SiC（碳化硅）材料對比傳統的Si（硅）材料，具備電性能和熱性能優(yōu)越、雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等特點(diǎn)，在產(chǎn)品設計時(shí)可以適配更大的功率密度，更小的產(chǎn)品體型。然SiC的材料性能與Si的材料性能相差甚大，傳統Si的熱阻及可靠性測試方式并不都適合SiC材料的器件產(chǎn)品。SiC器件的熱阻測試與功率循環(huán)測試評估，對SiC MOSFET器件的可靠性與分析改進(jìn)具備非常重要的意義。
近期，國星光電的TO系列產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機構，完成了相關(guān)工業(yè)級可靠性測試，SiC產(chǎn)品線(xiàn)進(jìn)一步擴展，目前SiC-TO產(chǎn)品已開(kāi)發(fā)完成5種封裝大類(lèi)的開(kāi)發(fā)（TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6），建設6個(gè)系列化產(chǎn)品線(xiàn)：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、內絕緣型SiC-SBD/MOS 系列。
以SiC為代表的第三代半導體材料的開(kāi)發(fā)與應用已寫(xiě)入“十四五規劃”，國家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進(jìn)著(zhù)。隨著(zhù)航天、航空、石油勘探、核能、汽車(chē)等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展，尤其是新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，在國產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動(dòng)下，我國半導體市場(chǎng)持續不斷地升溫。國星光電也在大力布局“三代半封測”業(yè)務(wù)，積極持續加大第三代半導體的研究開(kāi)發(fā)和技術(shù)成果轉化，望在國產(chǎn)替代的偉大宏圖上貢獻國星力量，為廣晟集團奮進(jìn)世界500強注入強勁動(dòng)能。
