天眼查APP顯示，近日，聚燦光電科技股份有限公司申請的“一種提升LED芯片亮度的結構”專(zhuān)利公布。
摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種提升LED芯片亮度的結構，涉及LED芯片領(lǐng)域，尤其涉及通過(guò)柵格化光學(xué)隔離層并通過(guò)DBR與柵格化處理的光學(xué)隔離層相結合，增強光提取效率，減少光損耗的技術(shù)方案。該結構包括：LED芯片中的量子阱層；位于量子阱層上方的透明導電層和光學(xué)隔離層；位于光學(xué)隔離層上的分布式布拉格反射鏡；其中，光學(xué)隔離層經(jīng)過(guò)柵格化處理，形成規則的光柵結構，以減少光吸收；通過(guò)柵格結構與DBR的結合增大了反射面積。與現有結構相比，本發(fā)明實(shí)現了對光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種提升LED芯片亮度的結構，涉及LED芯片領(lǐng)域，尤其涉及通過(guò)柵格化光學(xué)隔離層并通過(guò)DBR與柵格化處理的光學(xué)隔離層相結合，增強光提取效率，減少光損耗的技術(shù)方案。該結構包括：LED芯片中的量子阱層；位于量子阱層上方的透明導電層和光學(xué)隔離層；位于光學(xué)隔離層上的分布式布拉格反射鏡；其中，光學(xué)隔離層經(jīng)過(guò)柵格化處理，形成規則的光柵結構，以減少光吸收；通過(guò)柵格結構與DBR的結合增大了反射面積。與現有結構相比，本發(fā)明實(shí)現了對光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
