在報告中，他總結了LED市場(chǎng)和技術(shù)的發(fā)展，提及從應用領(lǐng)域的變化，到光效的改進(jìn)。另外還分析了LED市場(chǎng)的驅動(dòng)力和阻礙。對過(guò)去三年的封裝價(jià)格趨勢進(jìn)行了分析。整體處于一個(gè)下降的水平。他指出從2010年起，各種不同封裝形式的成本都在急劇下降，就能效而言，提升了近40%。由于LED材料成本下降空間已經(jīng)接近極限，所以未來(lái)就需要在封裝方式的創(chuàng )新以及新材料新技術(shù)的推動(dòng)上下功夫。他指出在照明產(chǎn)品價(jià)值鏈中，中游封裝是降低成本最具可能性的環(huán)節。在這個(gè)基礎上，劉國旭博士詳細分析了LED封裝技術(shù)發(fā)展趨勢以及面臨的挑戰。
趨勢一：倒裝芯片焊接
目前，LED封裝用芯片80%是水平結構，10%是垂直結構，另外還有10%是倒裝芯片（藍寶石）。倒裝芯片具有諸多優(yōu)點(diǎn)，例如免金線(xiàn)，高可靠性、減少光吸收、無(wú)表明電極擋光、低熱阻等。
趨勢二：芯片級封裝
半導體LED封裝結構進(jìn)化與IC封裝趨勢一致，芯片級封裝，其封裝尺寸不超過(guò)芯片尺寸的1.2倍�？梢悦饨鹁�(xiàn)，免支架，結構緊湊并且能夠降低成本。
趨勢三：集成封裝光引擎技術(shù)
優(yōu)勢：結構簡(jiǎn)單，直接交流電源驅動(dòng)，無(wú)需交流直流轉換和電解質(zhì)電容，可靠性好，免去或減少外部PCB結構，更節省空間；低驅動(dòng)電流和更好地熱學(xué)性能；利用HV-LED：6V、9V、21V--驅動(dòng)設計更加靈活；可調光；線(xiàn)性驅動(dòng)，具有良好的功率因素和低總諧波失真；相對于開(kāi)關(guān)模式的設計，具有更低的電磁干擾。
挑戰：調光至10%左右的頻閃解決。
趨勢四：LED燈絲
實(shí)現360度全周發(fā)光，模擬白熾燈設計；COB到條形COG，透明基底，藍寶石，透明氧化鋁，玻璃，甚至金屬，雙面熒光粉涂布，高壓小芯片加低電流驅動(dòng)，無(wú)熱沉，低成本。
挑戰，目前以4W為主，如果要做到更高瓦數，溫度及可靠性都要進(jìn)行相應改變。
趨勢五：縮小暖白和冷白之間的光效差
冷白：CCT=4700-7000K，CRI=70-80
暖白：CCT=2500-3700K,CRI=80-90
對于暖白，市場(chǎng)占有率超過(guò)60%，暖白比冷白LED光效(lm/w)低25%左右。
挑戰：將差距縮小至10%左右；
使用高光效紅光LED或者新型銀光粉材料技術(shù)，改變芯片表面對藍光及紅綠光的吸收反射性。
趨勢六：高顯指，廣色域
對于商照，高顯指使色彩看起來(lái)充滿(mǎn)活力，紅色更加生動(dòng)逼真。
CRI=95和R9=95（飽和紅色）可通過(guò)U或NUV+RGB Phosphor實(shí)現
提高顯色指數的其他方案：B+RG Phosphor,BR chip+G Phosphor
對于TV和Monitor,廣色域提供了豐富的色彩體驗
量子點(diǎn)可以實(shí)現NTSC105%和99%的高色域。
提高廣色域的其他方案：B+RG Phosphor,BR chip+G Phosphor。
趨勢七：量子點(diǎn)波長(cháng)轉換器
Quantum Dots特性
半導體材料制成的納米晶體可界定各個(gè)尺寸電子-空穴對，實(shí)現不同波長(cháng)（與熒光粉類(lèi)似）
量子點(diǎn)直徑3-7nm�？蓪�(shí)現全光譜的所有顏色，通過(guò)調整晶體微粒大小，峰值發(fā)射波長(cháng)可調整到+/-1nm。
半峰寬窄度小于30nm.(熒光粉的半峰為60-80nm)�？蓽p少光散射，高量子效率在90%以上。
最后他總結道，將SSL推入主流，面臨的挑戰不僅僅是lm/w。更是lm/$。LED封裝企業(yè)應該把握節約成本和技術(shù)革新的機會(huì )，LED封裝類(lèi)型和封裝材料，決定了是否能夠使用更高的電流密度，和承受更高的環(huán)境溫度�；诘範钚酒腃SP技術(shù)，有可能成為降低成本，改善性能的未來(lái)技術(shù)發(fā)展方向。
在對LED中游的封裝技術(shù)發(fā)展趨勢進(jìn)行了全面的分析之后，他強調，LED封裝作為L(cháng)ED產(chǎn)業(yè)的中游領(lǐng)域，永遠不會(huì )消失，在未來(lái)的發(fā)展中需要通過(guò)技術(shù)的革新去滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。
