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臺積電2nm工藝研發(fā)進(jìn)展超預期 將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-09-24  來(lái)源:TechWeb  瀏覽次數:1948
核心提示:9月22日消息,據國外媒體報道,在5nm工藝今年一季度投產(chǎn),為蘋(píng)果等客戶(hù)代工新的處理器之后,芯片代工商臺積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm和2nm工藝。

9月22日消息,據國外媒體報道,在5nm工藝今年一季度投產(chǎn),為蘋(píng)果等客戶(hù)代工新的處理器之后,芯片代工商臺積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm和2nm工藝。

 

 

在7月16日的二季度財報分析師電話(huà)會(huì )議上,臺積電CEO魏哲家透露,他們3nm工藝的研發(fā)正在按計劃推進(jìn),仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應晶體管技術(shù)(FinFET),計劃在明年風(fēng)險試產(chǎn),2022年下半年大規模投產(chǎn)。

 

與多次提及的3nm工藝不同,臺積電目前并未公布太多2nm工藝的消息,在近幾個(gè)季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上均未曾提及。

 

雖然臺積電方面未對外公布2nm工藝的消息,但外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,還是進(jìn)行過(guò)多次報道。

 

在新的報道中,外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報道稱(chēng),臺積電2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展超出預期,快于他們的計劃。

 

這一消息人士還透露,臺積電的2nm工藝,不會(huì )繼續采用成熟的鰭式場(chǎng)效應晶體管技術(shù),而會(huì )采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。

 

在此前的報道中,外媒提及的與臺積電2nm工藝相關(guān)的信息,出現過(guò)兩次,均是在8月底。其一是臺積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠(chǎng),將建在總部所在的新竹科學(xué)園區,臺積電負責營(yíng)運組織的副總經(jīng)理秦永沛,透露他們已經(jīng)獲得了建廠(chǎng)所需的土地。第二次是在上月底的臺積電2020年度全球技術(shù)論壇上,他們透露正在同一家主要客戶(hù)緊密合作,加快2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展,相關(guān)的投資也在推進(jìn)。

 
關(guān)鍵詞: 臺積電 2nm
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