2月19日，廈門(mén)三安光電有限公司公開(kāi)了發(fā)明名稱(chēng)為“一種LED發(fā)光裝置及其制造方法”和“發(fā)光二極管器件及其制備方法”兩項發(fā)明專(zhuān)利。

專(zhuān)利一：一種LED發(fā)光裝置及其制造方法

其中，發(fā)明名稱(chēng)為“一種LED發(fā)光裝置及其制造方法”的發(fā)明專(zhuān)利，公開(kāi)號為CN112382716A，申請日期為2020年10月28日。申請（專(zhuān)利權）人：廈門(mén)三安光電有限公司；發(fā)明人為：江賓、林素慧、曾煒竣、彭康偉、曾明俊、何安和、劉小亮。

據了解，LED芯片因為其優(yōu)良的性能得到快速發(fā)展。其中的紫外光LED特別是深紫外光LED的巨大的應用價(jià)值，尤其是在殺菌消毒方面的應用，引起了人們的高度關(guān)注，成為了新的研究熱點(diǎn)。UV LED用于殺菌、消毒時(shí)，其使用環(huán)境大部分濕氣較嚴重，這就對UVC LED的封裝提出了更高的要求。

該項發(fā)明提供一種LED發(fā)光裝置及其制造方法，該LED發(fā)光裝置包括基板，所述基板具有相對設置的第 一表面和第二表面，所述第 一表面上設置有導電線(xiàn)路層；LED芯片，所述LED芯片通過(guò)所述導電線(xiàn)路層固定在所述基板的第 一表面上；無(wú)機密封層，所述無(wú)機密封層覆蓋所述LED芯片的表面、側壁以及所述基板的第一表面。

上述無(wú)機密封層可以是SiO2和/或HfO2等一層或多層氧化物層。該無(wú)機密封層對UV或者UVC具有較高的透過(guò)率，并且即使長(cháng)時(shí)間在UV或者UVC的照射下，也不會(huì )出現老化或龜裂等問(wèn)題。本發(fā)明在LED芯片的表面、側壁以及基板的第 一表面上同時(shí)形成上述無(wú)機密封層，能夠同時(shí)有效保護LED芯片及基板。

專(zhuān)利二：發(fā)光二極管器件及其制備方法

另一項發(fā)明名稱(chēng)為“發(fā)光二極管器件及其制備方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號為CN112382711A，申請日期為2020年10月19日。申請（專(zhuān)利權）人：廈門(mén)三安光電有限公司；發(fā)明人為：張博揚、董浩。

發(fā)光二極管器件由于其較高的發(fā)光效率在很多領(lǐng)域均有廣泛的應用。為了提高發(fā)光二極管器件的出光效率，現有常見(jiàn)的發(fā)光二極管器件常在半導體外延層下方設置反射層，反射層的面積越大，其出光效率越高。但是，現有發(fā)光二極管器件一般均需對半導體外延層粗化處理，在粗化處理過(guò)程中，蝕刻液容易滲透至反射層，并刻蝕反射層，從而影響發(fā)光二極管器件的出光效率。

因此，如何在發(fā)光二極管器件具有較大反射層的情況下，避免反射層在后續形成粗糙部過(guò)程中被刻蝕，以提高發(fā)光二極管器件的出光效率，成為本領(lǐng)域亟需解決的問(wèn)題。

此項申請公開(kāi)了一種發(fā)光二極管器件及其制備方法，適用于發(fā)光二極管相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管器件管包括基板、臺面結構、功能層和保護層；臺面結構包括由第 一類(lèi)型半導體層、有源層和第二類(lèi)型半導體層順序排列所構成的半導體外延層；第二類(lèi)型半導體層位于靠近基板的一側，第 一類(lèi)型半導體層背對基板的表面配置有粗糙部；功能層，包括用于與半導體外延層連接的第 一表面和用于與基板連接的第二表面；半導體外延層的面積小于功能層的面積；保護層配置為：至少覆蓋第 一表面除半導體外延層之外的區域。

本申請利用保護層遮擋住功能層除半導體外延層之外的區域，提高發(fā)光二極管器件中反射層的面積，進(jìn)而提高發(fā)光二極管器件的出光效率。