這款最新的紅光Micro LED芯片與MICLEDI此前推出的藍光、綠光Micro LED芯片相同，均采用CMOS平臺打造，且不含砷化物，芯片能夠在<9nm的極窄半高全寬（FWHM）內實(shí)現653nm波長(cháng)，發(fā)出與法拉利跑車(chē)顏色類(lèi)似的紅光。另外，相較標準GaN Micro LED芯片，AlInGaP紅光Micro LED芯片采用了全新的結構設計。

值得注意的是，MICLEDI在去年11月發(fā)布了一款GaN紅光Micro LED，能夠在50nm范圍內的半高全寬實(shí)現630nm波長(cháng)，并可集成到全彩Micro LED顯示模塊中。這款產(chǎn)品同樣在本次CES 2023展會(huì )上展出。

此前，MICLEDI曾表示，GaN只是紅光Micro LED其中一種制作路線(xiàn)，從AlInGaP到量子點(diǎn)以及其他技術(shù)，均可作為紅光Micro LED芯片制作的替代方案，公司將優(yōu)化每種可替代方案的成本、可靠性和性能范圍，為穿透式AR 眼鏡提供性能全面的全彩Micro LED顯示模塊。（LEDinside Irving編譯）