專(zhuān)利摘要顯示，本申請公開(kāi)了一種垂直LED芯片結構及制作方法，包括導電襯底；所述導電襯底下設有背面金屬層；所述導電襯底上設有鍵合金屬層；所述鍵合金屬層上設有反射鍵合金屬層；所述反射鍵合金屬層上有歐姆接觸金屬層；所述歐姆接觸金屬層上設有鈍化絕緣層；所述鈍化絕緣層上設有外延材料層；所述外延材料層上設有絕緣保護層；所述絕緣保護層上設有金屬手指及焊盤(pán)電極本申請利用巨量轉移技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)，用micro LED芯片制作傳統尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊線(xiàn)過(guò)程中對芯片無(wú)損傷；同時(shí)垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解決了現有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題，提高了生產(chǎn)效率，滿(mǎn)足了企業(yè)生產(chǎn)需求，提升了企業(yè)競爭力。

本文源自：金融界

作者：情報員