Micro-LED顯示技術(shù)是一種將尺寸微縮化的半導體發(fā)光二極管以矩陣形式高密度集成的新型顯示技術(shù)，是LED芯片與平板顯示制造的交叉學(xué)科應用技術(shù)，其在亮度、響應速度、功耗、透明度、穩定性等方面具有顯著(zhù)優(yōu)勢，被廣泛認為是下一代主流顯示技術(shù)。然而，由于高質(zhì)量紅光InGaN量子阱外延生長(cháng)技術(shù)瓶頸，氮化鎵基的紅光Micro-LED芯片效率一直難以突破。
南京大學(xué)與合肥工業(yè)大學(xué)團隊一直致力于高In組分紅光LED外延生長(cháng)研究，先后通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)條件、設計多種應力調控結構，顯著(zhù)提升了高In組分InGaN量子阱材料質(zhì)量，通過(guò)分子束外延技術(shù)成功制備出電注入效率超過(guò)90%的隧道結紅光Micro-LED器件，并深入闡釋了該器件在高溫環(huán)境下性能衰退的現象及其背后的物理機制。該部分研究成果以“High-temperature performance of InGaN-based amber micro-light-emitting diodes using an epitaxial tunnel junction contact”為題，發(fā)表于A(yíng)pplied Physics Letters 124, 142103 (2024) ( https://doi.org/10.1063/5.0190000 )，并被APL主編選為Editor's Pick。
南京大學(xué)和廈門(mén)大學(xué)技術(shù)團隊進(jìn)一步與天馬微電子公司合作，創(chuàng )新提出了提升激光巨量轉移效率和良率的新方法和新技術(shù)，聯(lián)合研制出國際上第一塊RGB全氮化物芯片TFT基超視網(wǎng)膜顯示Micro-LED全彩屏，像素密度高達403PPI，該工作證實(shí)了全氮化物顯示技術(shù)的可行性，為未來(lái)新型顯示技術(shù)的發(fā)展提供新的全彩技術(shù)方案。
ntenteditable="false" loaded="success-image" style="margin: 0px; padding: 0px 0px 10px; font-size: 16px; line-height: 30px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: arial, "microsoft yahei", tahoma, sans-serif; text-indent: 0px; text-align: center;">
圖1：（a）隧道結紅光Micro-LED透射電子顯微鏡圖；混合量子阱（b）In和（c）Al元素EDS圖；（d）-（e）全氮化物全彩顯示屏
