|文章介紹|
Competitive mechanism between light extraction efficiency and sidewall passivated effect in the green micro-LEDs with varied thickness of Al2O3 layer
Youcai Deng(鄧有財), Denghai Li(李登海), Yurong Dai, Zongmin Lin, Youqin Lin, Zongyuan Liu, Xinxing Chen, Hao-Chung Kuo, Zhong Chen, Shouqiang Lai(賴(lài)壽強) and Tingzhu Wu(吳挺竹)
通訊作者:
■ 賴(lài)壽強,廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
■ 吳挺竹,廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
DOI:
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/adb852
研究背景:
基于氮化鎵的綠光微型發(fā)光二極管(Micro-LED)因其體積小、功耗低、亮度高以及在全彩顯示和可見(jiàn)光通信中的廣泛應用而備受重視。然而,隨著(zhù)芯片尺寸的微縮,側壁缺陷對Micro-LED性能的影響將變得更加顯著(zhù),非輻射復合占比的增加將嚴重影響Micro-LED的光輸出功率和外量子效率。為了解決這一問(wèn)題,研究人員提出了多種側壁處理和缺陷修復技術(shù),其中原子層沉積(ALD)技術(shù)因其能夠精確控制薄膜厚度、均勻性和保形性而成為小尺寸Micro-LED側壁鈍化的有效手段。然而,隨著(zhù)鈍化層厚度的增加,鈍化效果與光提取效率之間存在著(zhù)一定的競爭關(guān)系,為此,本研究在綠光Micro-LEDs上沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層,對比研究了這些器件的性能,并揭示鈍化效應與光提取效率之間的競爭機制。
研究?jì)热荩?/span>
研究采用通過(guò)CBATCH Batch ALD(Xiamen Yunmao Technology Ltd., Co.)設備在綠光Micro-LED上制備了不同厚度的(0、30、60 和 90 nm)Al2O3鈍化層,并采用IS測試系統、電流源(Keithley 2400, Keith Inc.)對器件進(jìn)行了系統性分析:(1)其電流-電壓特性測試結果表明,ALD側壁鈍化層能夠有效降低了器件的漏電流,顯著(zhù)提升了器件的電學(xué)性能;(2)通過(guò)采用ABC + f(n)模型對制備得到的綠光Micro-LEDs外量子效率進(jìn)行分析,探究了ALD鈍化層對缺陷密度和非輻射復合的影響情況;(3)研究還采用仿真模型探索了不同厚度Al2O3鈍化層的透射率變化規律,并闡明了鈍化層厚度對綠光Micro-LEDs光提取效率的影響。研究結果表明:隨著(zhù)ALD鈍化層厚度的增大,其對綠光Micro-LEDs的鈍化效果逐漸增強,但其透射率的非線(xiàn)性變化將同時(shí)對器件的光提取效率產(chǎn)生影響,因此二者之間存在一定的競爭關(guān)系,需綜合考慮鈍化效果對內量子效率的影響、在測試的四種器件中,LED-60表現出最高的透射率,并實(shí)現了最高的外量子效率,該結果為鈍化層厚度的優(yōu)化提供了重要參考。

此外,研究還在85°C溫度、85%濕度條件下對器件進(jìn)行了老化測試,評估了不同厚度Al2O3鈍化層對綠光Micro-LEDs穩定性的影響,結果表明:ALD鈍化層能夠顯著(zhù)提高器件穩定性、抑制器件性能退化。該結果為提高綠光Micro-LEDs的發(fā)光效率和可靠性提供了重要依據。

|作者介紹|
吳挺竹 教授
廈門(mén)大學(xué)
● 吳挺竹,廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授、博士生導師,國家高層次青年人才計劃入選者,福建省杰出青年科學(xué)基金獲得者,福建省高層次人才,廈門(mén)市高層次留學(xué)人員,廈門(mén)市高層次人才,廈門(mén)大學(xué)2023年“我最喜愛(ài)的十位老師”之一,全球前2%頂尖科學(xué)家。近5年以第一/通訊作者在Opto-Electronic Advances、Small、Photonics Research、ACS Photonics、Optics Express等國際高水平期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文逾50篇,其中2篇論文入選ESI高被引論文。
鄧有財
廈門(mén)大學(xué)
● 鄧有財,廈門(mén)大學(xué)在職博士生/泉州三安半導體氮化鎵部部長(cháng),碩士畢業(yè)于臺灣元智大學(xué),長(cháng)期從事mini/micro-LED、激光器等半導體光電器件的研究開(kāi)發(fā)工作。
期刊介紹