納米壓印是指通過(guò)像蓋章一樣把刻著(zhù)精細圖案的模具按壓到基板等的上面，大量轉印該圖案的技術(shù)。最近，該技術(shù)的實(shí)用化案例越來(lái)越多。
      用R2R方式量產(chǎn)LED用模具

采用納米壓印技術(shù)的精細圖案形成技術(shù)有助于提高LED和有機EL等的發(fā)光效率。東芝機械公司開(kāi)發(fā)出了包括專(zhuān)用的壓印裝置在內，將LED的發(fā)光效率提高20～30%的技術(shù)。利用在藍寶石基板表面形成凹凸圖案的“PSS”(Patterned Sapphire Substrate，圖形化藍寶石襯底)，提高了反射率等，從而提高了發(fā)光輸出。

東芝機械納米加工系統業(yè)務(wù)部副業(yè)務(wù)部長(cháng)后藤博史表示，存在的問(wèn)題是如何減少模具的缺陷數量，以及如何使成本比利用現有步進(jìn)器形成圖案時(shí)更具優(yōu)勢。“基板有缺陷的話(huà)，LED就不會(huì )發(fā)光。而為降低成本反復使用模具的話(huà)，缺陷就會(huì )越來(lái)越多”。

該公司針對這兩個(gè)問(wèn)題采取的對策是，把利用R2R方式大量復制的樹(shù)脂模具制成一次性產(chǎn)品。“把4英寸晶圓的成本降到5美元以下的目標已有眉目”。樹(shù)脂模具還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，那就是適合不一定平坦的藍寶石基板。

實(shí)現高品質(zhì)GaN晶體

最近還出現了利用納米壓印技術(shù)進(jìn)一步提高LED效率的可能性。古河機械金屬、金澤工業(yè)大學(xué)、東芝機械以及早稻田大學(xué)副教授水野潤的研究室利用納米壓印技術(shù)開(kāi)發(fā)出了將GaN晶體的位錯(位錯：晶體中含有的線(xiàn)狀缺陷。此前GaN晶體的位錯密度高達1×109/c㎡以上，被認為是向LED流過(guò)大電流時(shí)導致發(fā)光效率降低的原因。)降至大約原來(lái)的1%的方法。

具體方法是：首先在原來(lái)的GaN晶體上形成SiO2薄膜，利用納米壓印技術(shù)形成幾十個(gè)nm寬的小口;然后再次生長(cháng)GaN晶體。這樣，SiO2膜下方的GaN晶體的位錯就不會(huì )到達上方的GaN晶體，由此能減少上方GaN晶體的位錯。早稻田大學(xué)的水野教授介紹說(shuō)，“我們試制了LED，確認該技術(shù)可提高輸出功率并延長(cháng)壽命。應該也能用于功率半導體”。

水野表示，該技術(shù)還有望降低LED的驅動(dòng)電壓。“由于位錯少，以前必須達到140μm厚度的GaN晶體可大幅減薄至21μm以下”。